Birinci GAA Transistörler: Samsung, 3nm Üretimine Başlıyor Samsung, Gate-All-Around (GAA) süreç tekniğiyle bir arada 3nm üretim teknolojisini kullanarak yonga üretimine başladığını duyurdu. 3nm süreci, 5nm sürecine kıyasla %45 azaltılmış güç kullanması, %23 geliştirilmiş performans ve %16 daha küçük yüzey alanı sağlayacak. İkinci jenerasyon 3nm sürecinde ise bu kıymetler sırasıyla %50, %30 ve %35’e yükseltilecek.
FinFET için hudutların sonuna gelen Koreli yarı iletken üreticisi, birinci defa uygulanan GAA teknolojisi olan Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) ile birlikte performans hudutları aşmayı hedefliyor. Yeni teknikle bir arada besleme voltajı düzeyi azaltılırken güç verimliliği bir üst noktaya çıkıyor. beraberinde şoför akımı kapasitesiyle birlikte performans da artıyor.
Samsung, 3GAE fazlaca istikametli alan tesirli transistörlerini (GAAFET’ler) epeyce köprülü kanal alan tesirli transistörler (MBCFET’ler) olarak markalıyor. Transistörlerin düşük kaçak akımı, kapı artık dört taraftan kanal tarafınca çevrelendiğinden dolayı kilit özelliklerden biri olarak ön plana çıkıyor. Başka bir avantaj ise kanallarda kalınlığın performansı artırmak ve güç tüketimini azaltmak için düzenlenebilir biçimde olması.
‘İlk üretim’ terimi farklı yorumlanabilir. Özetle, yarı iletken devi şu anda seri üretimin erken bir başlangıç etabında. Lakin her ne olursa olsun, Samsung Foundry, resmi olarak gate-all-around (GAA) transistörlere sahip dünyanın birinci çip üreticisi olarak markalaştırılabilir.
FinFET için hudutların sonuna gelen Koreli yarı iletken üreticisi, birinci defa uygulanan GAA teknolojisi olan Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) ile birlikte performans hudutları aşmayı hedefliyor. Yeni teknikle bir arada besleme voltajı düzeyi azaltılırken güç verimliliği bir üst noktaya çıkıyor. beraberinde şoför akımı kapasitesiyle birlikte performans da artıyor.
Samsung, 3GAE fazlaca istikametli alan tesirli transistörlerini (GAAFET’ler) epeyce köprülü kanal alan tesirli transistörler (MBCFET’ler) olarak markalıyor. Transistörlerin düşük kaçak akımı, kapı artık dört taraftan kanal tarafınca çevrelendiğinden dolayı kilit özelliklerden biri olarak ön plana çıkıyor. Başka bir avantaj ise kanallarda kalınlığın performansı artırmak ve güç tüketimini azaltmak için düzenlenebilir biçimde olması.
‘İlk üretim’ terimi farklı yorumlanabilir. Özetle, yarı iletken devi şu anda seri üretimin erken bir başlangıç etabında. Lakin her ne olursa olsun, Samsung Foundry, resmi olarak gate-all-around (GAA) transistörlere sahip dünyanın birinci çip üreticisi olarak markalaştırılabilir.